据《东方财富研究中心》4月14日消息，高带宽闪存来了，闪迪已涨近30倍。据ETNews报道，闪迪已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。该公司计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地。业内人士透露：“闪迪正在与企业探讨合作，目标是在下半年引入HBF关键设备。”其估计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。
另据The Bell援引消息人士指出，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。
高盛日前发布的报告指出，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。其中2026年DRAM缺口将创15年之最，NAND短缺规模亦达历史高位，即便消费电子需求大幅下滑，服务器市场的疯狂吞噬能力仍将维持紧张格局。在DRAM方面，高盛预测2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%，其中2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。
市场相关机构观点
信达证券表示，全球AI产业链持续扩张，海外与国产AI芯片、存储芯片领域迎来发展机遇，相关企业凭借技术优势和市场地位有望受益于行业增长逻辑。
万联证券指出，在算力基础设施和AI云需求拉动下，AI服务器对DRAM和HBM需求强劲增长，原厂DRAM供应处于趋紧状态，存储原厂更主动地推动合约价上调并加快价格传导节奏，二季度原厂DDR5价格整体上涨约30%。据CFM最新价格显示，2026年4月，DDR5 RDIMM 32GB、64GB、96GB价格分别上涨至650美元、1220美元、1980美元。AI算力建设方兴未艾，算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储等需求旺盛，同时PCB及存储均处于景气扩张周期，有望拉动上游设备及材料需求，建议关注PCB、存储等细分赛道及产业链投资机遇。
市场相关领域梳理
1、存储芯片设计领域：作为产业链的技术核心与价值高地，存储芯片设计板块直接受益于产品价格的暴涨与出货量的提升。闪迪HBF（高带宽闪存）技术的提前落地，验证了通过堆叠NAND闪存来满足AI设备高带宽需求的可行性，这为国内NANDFlash设计企业指明了清晰的技术演进路线。在国内“自主可控”战略持续推进下，本土设计企业正加速布局类似的高附加值存储产品。随着智能手机、PC等传统消费电子需求步入温和复苏通道，叠加AI端侧设备对大容量存储的爆发式需求，设计环节企业的订单饱满度显著改善。在DDR5等高端产品价格单季涨幅达30%的背景下，设计企业具备极高的业绩弹性，毛利率水平将得到显著修复。
2、存储芯片封测领域：封测环节是连接芯片制造与终端应用的桥梁，在存储芯片高景气周期中正迎来量价齐升的重估机遇。无论是HBM（高带宽内存）还是HBF（高带宽闪存），其核心特征均是通过3D堆叠技术来突破传统的带宽瓶颈，这对TSV硅通孔技术、微凸块等先进封装工艺提出了极为严苛的要求。随着国内存储设计企业逐步跟进类似的高带宽存储架构，本土具备先进封装技术产能的封测企业将迎来产能利用率的快速爬坡。行业研究指出，先进存储封装的溢价能力与利润率远高于传统封装，在AI服务器疯狂吞噬存储产能的当下，掌握核心封测工艺的企业不仅能拿到充裕的订单，更能深度分享技术升级带来的超额红利。
3、存储芯片上游材料与设备领域：存储芯片制造工艺的演进与产能的扩张，为上游半导体设备与材料企业带来了持续的确定性增量需求。根据高盛预测，面对即将到来的史上最严重存储短缺，国内外存储晶圆厂必将加速资本开支以抢占市场份额。从设备端来看，刻蚀机、薄膜沉积设备以及先进量测设备是3D NAND及DRAM堆叠产线扩产的核心，在国内存储生产线加速扩产及设备国产化率提升的双重驱动下，本土半导体设备企业的订单量呈现快速增长态势。从材料端来看，高阶光刻胶、电子特气、先进抛光液等核心耗材在复杂堆叠制程中的消耗量呈指数级增加。随着国内存储产能向高端化迈进，上游材料企业有望加速导入供应链体系，实现从“0到1”再到“1到N”的跨越。
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